• 游戏机电池供电的SRAM解决方案
• 游戏机是一种主要用于娱乐，使用只向获得许可的软件开发者开放的源代码，以电视机或其他专用显示器以及专用输入设备的电脑系统。其与个人计算机最大的区别在于源代码和软件的封闭性。人类用来进行游戏的机械电子装置都可称作游戏机。随着电子技术、信息产业的发展，以及电影、漫画产业的带动，电子游戏机便成为了游戏机的实际代表。由于其更专业化的游戏性表现，因此即便电脑水平如此发达的今天，PC游戏仍然无法替代游戏机的强势地位。本文由存储芯片供应商宇芯电子提供关于游戏机电池供电的SRAM解决方案。高速非易失性缓存游戏机使用SRAM密度（介于4Mbit至32Mbit之间的任何值）作为用于存储运行时处理数据的缓存。这些应...
• 所属专栏： 技术交流 标签： SRAM,非易失性SRAM,BBSRAM,低功耗SRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-12-17 16:19:00

• 高速性低功耗SRAM应用于物联网
• 在过去的几十年中，SRAM领域已划分为两个不同的产品系列-快速和低功耗，每个产品都有自己的功能，应用程序和价格。使用SRAM的设备需要它的高速性或低功耗性，但不能同时兼顾两者。但是人们越来越需要具有低功耗的高性能设备，以便在依靠便携式电源运行时执行复杂的操作。这种需求由新一代医疗设备和手持设备，消费电子产品和通信系统及工业控制器推动，而这些都由物联网（IoT）驱动。物联网的发展朝着两个不同的方向发展：智能可穿戴设备和自动化。正如我们前面所讨论的，可穿戴设备将通过占位面积小，功耗低的SRAM来获得最佳服务。同时物联网的影响将在工业，商业和大规模运营中以及将大型房屋和整个城市的单个房屋自动化中得...
• 所属专栏： 技术交流 标签： SRAM,低功耗SRAM,存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-09-23 14:18:00

• ISSI代理低功耗SRAM芯片IS62WV102416DALL
• ISSIIS62WV102416DALL，IS62WV102416DBLL是超低功耗CMOS16Mbit静态RAM，组织为1M字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技术制造的。这种高度可靠的工艺加上创新的电路设计技术，可生产出高性能和低功耗的设备。IS62WV102416DBLL和IS65WV102416DBLL封装在48引脚TSOP（I型）中。ISSI代理宇芯电子支持提供技术支持及产品解决方案。主要特点•高速访问时间：45ns，55ns。•CMOS低功耗操作–25µA（典型值）CMOS待机•CMOS以实现最佳速度和功率以及TTL兼容接口级别•单电源–1.65V〜1.98VVDD（IS...
• 所属专栏： 新品推荐活动 标签： ISSI代理,低功耗SRAM,IS62WV102416DALL 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-07-22 15:41:00

• ISSI正规代理高速低功耗SRAM芯片IS62WV102416ALL
• ISSI为汽车，数字消费者以及工业和医疗主要市场设计。其主要产品是高速低功耗SRAM芯片和中低密度DRAM存储器。还设计和销售NOR闪存产品以及高性能模拟和混合信号集成电路。为关键市场开发精选的非内存产品。为了增加产品的多样化并提供SRAM，DRAM和闪存专业知识相辅相成的产品。其中旗下的IS62WV102416AL在市场上深受各汽车,工业行业的喜爱。ISSI代理商宇芯电子可提供样品及技术指导.描述ISSIIS62WV102416ALL是高速的16M位静态RAM，组织为1024K字乘以16位。它主要是使用ISSI高性能CMOS技术所制造出来的。这种可靠的工艺加上创新的电路设计技术就可生产出高...
• 所属专栏： 新品推荐活动 标签： ISSI正规代理,SRAM,高速低功耗SRAM,IS62WV102416ALL 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-06-04 16:04:00

• 低电压SRAM的重要性
• 随着SOC技术的发展，CMOS工艺尺寸不断缩小，芯片集成度越来越高，使得单位面积芯片的功耗不断提高。近年来，便携式电子产品如智能手机、平板电脑、数码相机、智能手环发展迅猛，而对于使用电池的便携式电子产品，芯片的功耗会直接影响到电池的使用时间、使用寿命，功耗逐渐成为大规模集成电路设计中最关心的问题。Vilsion代理商宇芯电子介绍低电压SRAM的重要性。CMOS集成电路中的功耗由动态功耗、静态功耗和短路功耗组成。各个功耗表达式如公式所示：其中，Pdynamic是电路电容充放电产生的动态功耗，与电源电压成平方关系；Pleak是静态功耗，即漏电流产生的功耗，与电源电压成一次方关系；Pshort是电...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 低电压SRAM,SRAM,低功耗SRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-06-03 16:20:00

• ISSI具有纠错功能的AsyncSRAM
• 近年来，对精密半导体存储器的需求已从个人计算机市场扩展到了汽车，通信和数字消费，工业及医疗市场。这些产品需要增加内存容量，以帮助处理大量数据。ISSI为汽车，通信，数字消费者以及工业和医疗提供了高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。ISSI代理商IS61/64WVxxxxxEDBLL系列是具有纠错(ECC)功能的异步静态随机存储器(AsyncSRAM),该器件内置独立的ECC单元，极大程度提升了数据的完整性;同时得益于先进的设计理念及65nm的制程工艺,期耗、读写速度均处于业界领先水平。产品主要特性:●每-字节都带有独立的纠错单元;.●纠错单元可以侦测到数据错误，組为悔一字节纠正-比特的错误...
• 所属专栏： 新品推荐活动 标签： SRAM,低功耗sram,高速sram,同步SRAM,ISSI 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-05-27 15:57:00

• SRAM市场动向
• 当今世界环境保护已蔚然成风，力求节约能源，因此强烈要求电子系统低功耗化和低电压化。而且由于制造SRAM的半导体工艺精细化，SRAM要求低电压供电。因而近年来研究低电压供电技术活动十分活跃。在高速SRAM里，既要求高速度又要求低功耗，这是互相矛盾的两种要求。宇芯电子主要为工业控制，物联网，智能控制，消费类电子，仪表仪器等市场领域提供各种类型的SRAM存储产品，包括低功耗SRAM、高速SRAM、同步SRAM等.SRAM市场动向●低功耗sram移动电话和寻呼机等便携电子产品市场里，要求机器小型、轻便和由电池长时间供电;因此，便携电子产品也要求SRAM器件实现低电压供电例如要求供电电压低到2.5V乃...
• 所属专栏： 技术交流 标签： SRAM市场,SRAM,低功耗sram,高速sram,同步SRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-05-26 15:37:00

• 采用分级字线结构可提高SRAM读写速度及降低电路动态功耗
• 采用分级字线结构的存储器将整个存储阵列划分为若干个相同的子阵列。与非分级字线结构相比，它需要采用多级的字线译码才能完成对存储单元的寻址。如图1所示，整个电路采用层次化字线的多分割阵列结构。图1分级字线结构采用层次化字线分割结构不仅能提高工作速度，而且能大大降低功耗。这是因为字线分割结构使原本同时被激活的存储单元变为只有被选中的块内的存储单元被激活。具体工作为：假设将一条字线分为n段，若原来每条字线带Nc个单元，则分割后每段字线只带Nc/n个单元，字线长度也减小为原来的1/n。对于很大容量的存储器，并不是简单地把字线分段，而是采用如图1所示的分级字线结构，即把单元阵列在字线方向分成很多小块，使...
• 所属专栏： 技术交流 标签： SRAM读写速度,SRAM,SRAM功耗 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-05-19 16:28:00

• SRAM中的功耗来源
• 在CMOS电路中，功耗的来源主要有两个方面（1）静态功耗，即反向漏电流造成的功耗；（2）动态功耗，由电路作开关转换时进入过渡区由峰值电流引起的暂态功耗，以及负载电容和芯片内寄生电容的充放电电流引起的功耗。SRAM的功耗包括动态功耗（数据读写时的功耗）和静态功耗（数据保持时的功耗）。图1给出了一个用来分析SRAM功耗来源的结构模型，在这个模型中，将SRAM的功耗来源分成三部分：存储阵列、行(列)译码器、以及外围电路。图1SRAM中的功耗来源假设存储阵列的规模为n行m列，那么当行译码有效后某一行上的m个存储单元会同时处于活动状态。这样，SRAM的动态功耗可以表示为：其中，VDD是外部供电电压，I...
• 所属专栏： 技术交流 标签： SRAM,SRAM功耗 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-05-18 17:49:00

• 外部SRAM的种类
• 外部SRAM注意事项为使外部SRAM器件达到出最佳性能，建议遵循以下原则：使用与连接的主系统控制器的接口数据带宽相同的SRAM。如果管脚使用或板上空间的限制高于系统性能要求，可以使用较连接的控制器的数据带宽小一些的SRAM设备，以便减少管脚数量并减少PCB板上可能的存储器数量。然而这种变化将导致降低SRAM接口的性能。外部SRAM的种类有多种SRAM器件可供选择。最常见的种类如下：异步SRAM–由于其不依靠时钟，所以是最慢的一种SRAM。同步sram（SSRAM）–同步SRAM运行同步于一个时钟信号。同步SRAM的速度比异步SRAM的要快，但是也更昂贵。伪SRAM–伪SRAM（PSRAM）是...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 外部SRAM,SRAM,同步sram 发帖人：英尚微电子 发帖时间：2020-02-17 15:18:00