ISSI IS62WV102416DALL，IS62WV102416DBLL是超低功耗CMOS16Mbit静态RAM，组织为1M字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技术制造的。这种高度可靠的工艺加上创新的电路设计技术，可生产出高性能和低功耗的设备。IS62WV102416DBLL和IS65WV102416DBLL封装在48引脚TSOP（I型）中。ISSI代理宇芯电子支持提供技术支持及产品解决方案。

主要特点

•高速访问时间：45ns，55ns。

•CMOS低功耗操作

–25µA（典型值）CMOS待机

•CMOS以实现最佳速度和功率以及TTL兼容接口级别

•单电源

–1.65V〜1.98VVDD

（IS62/65WV102416DALL）

–2.2V〜3.6VVDD

（IS62/65WV102416DBLL）

•完全静态操作：无需时钟或刷新

•工业和汽车温度支持

功能说明

sram是随机存取存储器之一。每个字节或字都有一个地址，可以随机访问。SRAM支持三种不同的模式。每个功能在下面的“真值表”中进行了描述。

待机模式

取消选择时，设备进入待机模式。输入和输出引脚（I/O0-15）处于高阻抗状态。根据输入电平，此模式下的电流消耗为ISB1或ISB2。此模式下的CMOS输入将最大程度地节省功率。

写模式

选择芯片时且写使能输入LOW时的写操作问题。输入和输出引脚（I/O0-15）处于数据输入模式。即使为LOW，在此期间输出缓冲区也会关闭。并启用字节写入功能。通过启用LOW，来自I/O引脚（I/O0至I/O7）的数据被写入该位置。在地址引脚上指定。处于低电平时，来自I/O引脚（I/O8至I/O15）的数据被写入该位置。

读取模式

选择芯片时，写使能（WE）输入为高，则发生读操作问题。为低时，输出缓冲器打开以进行数据输出。不允许在读取模式下对I/O引脚进行任何输入。并启用字节读取功能。通过启用LOW，来自存储器的数据出现在I/O0-7上。处于低电平时，来自内存的数据将出现在I/O8-15上。

在读取模式下，可以通过拉高来关闭输出缓冲器。在此模式下，内部设备作为READ操作，但I/O处于高阻抗状态。由于设备处于读取模式，因此使用有功电流. 

IS62-65WV102416DALL-DBLL.pdf