• 高速性低功耗SRAM应用于物联网
• 在过去的几十年中，SRAM领域已划分为两个不同的产品系列-快速和低功耗，每个产品都有自己的功能，应用程序和价格。使用SRAM的设备需要它的高速性或低功耗性，但不能同时兼顾两者。但是人们越来越需要具有低功耗的高性能设备，以便在依靠便携式电源运行时执行复杂的操作。这种需求由新一代医疗设备和手持设备，消费电子产品和通信系统及工业控制器推动，而这些都由物联网（IoT）驱动。物联网的发展朝着两个不同的方向发展：智能可穿戴设备和自动化。正如我们前面所讨论的，可穿戴设备将通过占位面积小，功耗低的SRAM来获得最佳服务。同时物联网的影响将在工业，商业和大规模运营中以及将大型房屋和整个城市的单个房屋自动化中得...
• 所属专栏： 技术交流 标签： SRAM,低功耗SRAM,存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-09-23 14:18:00

• ISSI汽车异步SRAM
• ISSI自1999年以来，就一直为汽车市场提供支持。并在2001年ISSI成立了汽车业务部门，开始扩大对市场的支持。该业务部门的目的是在ISSI中提供跨职能部门的支持，以从产品规划阶段到新产品生产阶段不断增强汽车基础设施。通过SRAM芯片，DRAM和Flash产品系列来实现这一目标。从开始到生产，汽车市场的设计周期可能为3-4年。然后生产将再运行5-6年。后期支持的需求已经存在了数年。ISSI致力于为客户提供汽车生产计划阶段所需的长期支持。ISSI与客户合作以支持三种不同等级的汽车异步SRAM产品。它们是-40C至+85C，-40C至+105C和-40C至+125C。ISSI设计的产品可以在...
• 所属专栏： 新品推荐活动 标签： ISSI,汽车异步SRAM,SRAM,异步SRAM,ISSI代理商 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-08-20 17:12:00

• ISSI代理低功耗SRAM芯片IS62WV102416DALL
• ISSIIS62WV102416DALL，IS62WV102416DBLL是超低功耗CMOS16Mbit静态RAM，组织为1M字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技术制造的。这种高度可靠的工艺加上创新的电路设计技术，可生产出高性能和低功耗的设备。IS62WV102416DBLL和IS65WV102416DBLL封装在48引脚TSOP（I型）中。ISSI代理宇芯电子支持提供技术支持及产品解决方案。主要特点•高速访问时间：45ns，55ns。•CMOS低功耗操作–25µA（典型值）CMOS待机•CMOS以实现最佳速度和功率以及TTL兼容接口级别•单电源–1.65V〜1.98VVDD（IS...
• 所属专栏： 新品推荐活动 标签： ISSI代理,低功耗SRAM,IS62WV102416DALL 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-07-22 15:41:00

• IS61WV10248EDBLL高速异步SRAM
• 美国ISSI存储器公司的主要产品是高速低功耗SRAM芯片和中低密度DRAM芯片。该公司还设计和销售NOR闪存存储器产品以及高性能模拟和混合信号集成电路。近年来对复杂半导体存储器的需求已从个人计算机市场扩展到了汽车，通信和数字消费以及工业和医疗市场。这些存储产品需要增加内存内容，以帮助处理大量数据。ISSI代理商宇芯电子为广大用户提供解决方案及技术方面支持。接下来介绍一款ISSI具有ECC的1Mx8高速异步SRAM的一些特征方面知识.ISSIIS61/64WV10248EDBLL是非常高速，低功耗的1M字乘8位高速异步SRAM。IS61/64WV10248EDBLL采用ISSI的高性能CMOS...
• 所属专栏： 新品推荐活动 标签： IS61WV10248EDBLL,异步SRAM,SRAM,ISSI代理商 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-07-08 16:08:00

• 外扩SRAMISSI代理商IS62WV102416EBLL
• IS62WV102416EBLL是低功耗16M位静态SRAM，以1024Kx16位组织。它采用的高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的过程与创新的电路设计技术相结合，可以生产出高性能和低功耗的存储器件。当处于高电平（取消选择）或CS2为低电平（取消选择）或处于低电平时，CS2均为高电平且两者均为高电平时，器件假定在待机模式下，可以通过CMOS输入电平来降低功耗。使用芯片使能和输出使能输入可轻松扩展存储器。激活的LOWWriteEnable（低写使能）控制存储器的写入和读取。IS62WV102416EBLL采用JEDEC标准的48引脚BGA（6mmx8mm）封装。ISSI代理商宇芯支持供样及产...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 外扩SRAM,ISSI代理商,IS62WV102416EBLL,SRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-06-15 16:01:00

• ISSI正规代理高速低功耗SRAM芯片IS62WV102416ALL
• ISSI为汽车，数字消费者以及工业和医疗主要市场设计。其主要产品是高速低功耗SRAM芯片和中低密度DRAM存储器。还设计和销售NOR闪存产品以及高性能模拟和混合信号集成电路。为关键市场开发精选的非内存产品。为了增加产品的多样化并提供SRAM，DRAM和闪存专业知识相辅相成的产品。其中旗下的IS62WV102416AL在市场上深受各汽车,工业行业的喜爱。ISSI代理商宇芯电子可提供样品及技术指导.描述ISSIIS62WV102416ALL是高速的16M位静态RAM，组织为1024K字乘以16位。它主要是使用ISSI高性能CMOS技术所制造出来的。这种可靠的工艺加上创新的电路设计技术就可生产出高...
• 所属专栏： 新品推荐活动 标签： ISSI正规代理,SRAM,高速低功耗SRAM,IS62WV102416ALL 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-06-04 16:04:00

• 低电压SRAM的重要性
• 随着SOC技术的发展，CMOS工艺尺寸不断缩小，芯片集成度越来越高，使得单位面积芯片的功耗不断提高。近年来，便携式电子产品如智能手机、平板电脑、数码相机、智能手环发展迅猛，而对于使用电池的便携式电子产品，芯片的功耗会直接影响到电池的使用时间、使用寿命，功耗逐渐成为大规模集成电路设计中最关心的问题。Vilsion代理商宇芯电子介绍低电压SRAM的重要性。CMOS集成电路中的功耗由动态功耗、静态功耗和短路功耗组成。各个功耗表达式如公式所示：其中，Pdynamic是电路电容充放电产生的动态功耗，与电源电压成平方关系；Pleak是静态功耗，即漏电流产生的功耗，与电源电压成一次方关系；Pshort是电...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 低电压SRAM,SRAM,低功耗SRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-06-03 16:20:00

• ISSI具有纠错功能的AsyncSRAM
• 近年来，对精密半导体存储器的需求已从个人计算机市场扩展到了汽车，通信和数字消费，工业及医疗市场。这些产品需要增加内存容量，以帮助处理大量数据。ISSI为汽车，通信，数字消费者以及工业和医疗提供了高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。ISSI代理商IS61/64WVxxxxxEDBLL系列是具有纠错(ECC)功能的异步静态随机存储器(AsyncSRAM),该器件内置独立的ECC单元，极大程度提升了数据的完整性;同时得益于先进的设计理念及65nm的制程工艺,期耗、读写速度均处于业界领先水平。产品主要特性:●每-字节都带有独立的纠错单元;.●纠错单元可以侦测到数据错误，組为悔一字节纠正-比特的错误...
• 所属专栏： 新品推荐活动 标签： SRAM,低功耗sram,高速sram,同步SRAM,ISSI 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-05-27 15:57:00

• SRAM中的功耗来源
• 在CMOS电路中，功耗的来源主要有两个方面（1）静态功耗，即反向漏电流造成的功耗；（2）动态功耗，由电路作开关转换时进入过渡区由峰值电流引起的暂态功耗，以及负载电容和芯片内寄生电容的充放电电流引起的功耗。SRAM的功耗包括动态功耗（数据读写时的功耗）和静态功耗（数据保持时的功耗）。图1给出了一个用来分析SRAM功耗来源的结构模型，在这个模型中，将SRAM的功耗来源分成三部分：存储阵列、行(列)译码器、以及外围电路。图1SRAM中的功耗来源假设存储阵列的规模为n行m列，那么当行译码有效后某一行上的m个存储单元会同时处于活动状态。这样，SRAM的动态功耗可以表示为：其中，VDD是外部供电电压，I...
• 所属专栏： 技术交流 标签： SRAM,SRAM功耗 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-05-18 17:49:00

• SRAM芯片is62wv51216
• ISSIIS62WV51216ALL/IS62WV51216BLL是高速8M位静态RAM，组织为512K字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技术制造的。这种高度可靠的工艺加上创新的电路设计技术，可生产出高性能和低功耗的设备。当CS1为HIGH（取消选择）或CS2为LOW（取消选择）或CS1为LOW，CS2为HIGH且LB和UB均为HIGH时，器件将处于待机模式，在该模式下，可通过CMOS输入降低功耗水平。使用芯片使能和输出使能输入可轻松扩展存储器。激活的LOWWriteEnable（WE）控制存储器的写入和读取。数据字节允许访问高字节（UB）和低字节（LB）。IS62WV51216A...
• 所属专栏： 新品推荐活动 标签： SRAM芯片 s62wv51216 SRAM芯片 ISSI代理 发帖人：英尚微电子 发帖时间：2020-03-17 14:48:00