一、快恢复二极管结构特点

快速恢复二极管的内部结构与普通二极管不同。在P型和N型硅材料之间添加碱I以形成P-I-N硅芯片。由于基极区域非常薄，反向恢复电荷非常小，不仅trr值大大降低，而且瞬态正向压降也降低，因此管可以承受高反向操作电压。快速恢复二极管的反向恢复时间通常为几百纳秒，正向压降约为0.6V，正向电流为几安培至几千安培，反向峰值电压可达几百至几千伏特。超快恢复二极管。

二、快恢复二极管反向恢复时间

反向恢复时间(tr)的定义：电流通过零点和正向转换到指定低值之间的时间间隔。它是衡量高频续流整流装置性能的重要技术指标。反向恢复电流波形如图1所示。IF是正向电流，IRM是最大反向恢复电流。Irr是反向恢复电流，通常指定Irr=0.1 IRM。当t≤t0时，正向电流I=IF。当t>t0时，整流器上的正向电压突然变为反向电压，因此正向电流迅速减小。当t=t1时，I=0。然后http://www.szchenda.com反向电流IR流过整流器，并且IR逐渐增加;在t=t2时达到最大反向恢复电流IRM值。此后，在正向电压的作用下，反向电流逐渐减小，并在t=t3处达到规定值Irr。从t2到t3的反向恢复过程类似于电容器放电过程。

快恢复二极管规格书下载：SF31G THRU SF38G DO-201AD 200526.pdf