• SRAM的容量扩展
• SRAM即静态随机存取存储器，所谓“静态”是指这种存储器只要保持通电，里面存储的数据就可以一直保持，但是掉电之后就会丢失。与DRAM（动态随机存取存储器）相比它不需要周期性的刷新里面的数据，操作简单且速度更快，但是更加的昂贵，集成度不如DRAM高。在实际应用中的存储器所需要的容量通常比所生产的芯片容量大得多，所以需要对多芯片进行组合以实现存储容量的扩充。本文以SRAM芯片为例系统介绍常用的扩充存储容量的方法。通常微处理器的数据总线为8位和16位或32位，而地址总线为16位或24位不等。当静态RAM的地址线和数据线不能与微机相匹配时，可用地址线扩展和数据线扩展或地址和数据线同时进行扩展的方法加...
• 所属专栏： 技术交流 标签： SRAM容量扩展,外扩SRAM,SRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-12-01 14:16:00

• STM32外扩SRAM芯片IS62WV51216兼容替换
• STM32MCU一般情况下配置有1~2MB双块Flash存储器和256KBSRAM，在某些应用设计中会出现内置RAM不足的情况，需要对STM32单片机进行外扩RAM的处理，可以选择更换更高RAM容量的单片机，除了价格贵还需要涉及其他被动器件的更改，STM32系列可以通过FMSC接口外扩并口SRAM，比如采用ISSI的IS62WV51216，IS62WV51216SRAM芯片是一个8M容量，组织结构为512K*16的高速率低功耗静态随机存储器。IS62WV51216高性能CMOS工艺制造。高度可靠的工艺水准再加创新的电路设计技术，造就了这款高性能，低功耗的器件。使用IS62WV51216的片选...
• 所属专栏： 新品推荐活动 标签： SRAM芯片 RAM IS62WV51216 发帖人：英尚微电子 发帖时间：2020-07-30 11:11:00

• 双端口SRAM中读干扰问题
• 普通的存储器器件为单端口，也就是数据的输入输出只利用一个端口，设计了两个输入输出端口的就是双端口sram。虽然还具有扩展系列的4端口sram，但双端口sram已经非常不错了。双端口sram经常应用于cpu与其周边控制器等类似需要直接访问存储器或者需要随机访问缓冲器之类的器件之间进行通信的情况。下面专注于代理销售sram芯片,PSRAM等存储芯片供应商介绍关于双端口SRAM中读干扰问题。从存储单元来看，双端口SRAM只是在单端口SRAM的基础上加上了两个存取管（见图1），但要实现两个端口对存储单元的独立读写，还要对新增的端口复制一套单端口SRAM的读写外围电路。然而这样虽然增强了存储器的读写能...
• 所属专栏： 技术交流 标签： SRAM,双端口SRAM,SRAM芯片 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-07-23 14:00:00

• 使用SRAM如何节省芯片面积
• SRAM存储器是一款不需要刷新电路即能保存它内部存储数据的静态随机存储器。而DRAM每隔一段时间，要刷新充电一次，否则就会出现内部数据会消失，因此SRAM存储器具有较高的性能。SRAM虽然只是存储器，但是使用的方法不一样，芯片的面积是不一样的。基于SRAM有两个事实：（1）1R1W的SRAM面积要比1RW的SRAM的面积大不少。同样规格的SRAM，增加一组读写接口，其面积会增加很多。但是有一种办法其实有可能将本来需要使用1R1W的SRAM改用1RWSRAM替掉，从而节省不少面积。比如本来需要使用64bitx2K的1R1WSRAM存储器，读写接口都是64bit，有可能可以采用128x1K的1R...
• 所属专栏： 技术交流 标签： SRAM,SRAM芯片,SRAM面积 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-06-22 13:46:00

• 外扩SRAMISSI代理商IS62WV102416EBLL
• IS62WV102416EBLL是低功耗16M位静态SRAM，以1024Kx16位组织。它采用的高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的过程与创新的电路设计技术相结合，可以生产出高性能和低功耗的存储器件。当处于高电平（取消选择）或CS2为低电平（取消选择）或处于低电平时，CS2均为高电平且两者均为高电平时，器件假定在待机模式下，可以通过CMOS输入电平来降低功耗。使用芯片使能和输出使能输入可轻松扩展存储器。激活的LOWWriteEnable（低写使能）控制存储器的写入和读取。IS62WV102416EBLL采用JEDEC标准的48引脚BGA（6mmx8mm）封装。ISSI代理商宇芯支持供样及产...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 外扩SRAM,ISSI代理商,IS62WV102416EBLL,SRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-06-15 16:01:00

• STM32单片机扩展外部SRAM
• 当我们使用的电脑运行过程中比较卡的时候，可以通过给电脑加装内存条来改善电脑的性能。我们可以给单片机外加和内存条效果一样的SRAM芯片来提升单片机的性能。下面以STM32单片机来讲解一下来扩展外部SRAM。原理：给STM32芯片扩展内存与给PC扩展内存的原理是一样的，只是PC上一般以内存条的形式扩展，内存条实质是由多个SRAM芯片组成的通用标准模块，而意法半导体MCUSTM32直接与SRAM芯片连接。IS62WV51216的管脚总的来说大致分为：电源线、地线、地址线、数据线、片选线、写使能端、读使能端和数据掩码信号线。ISSIIS62WV51216ALL/IS62WV51216BLL是高速8M...
• 所属专栏： 技术交流 标签： STM32单片机,外部SRAM,单片机,外扩SRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-05-07 16:10:00

• SRAM芯片is62wv51216
• ISSIIS62WV51216ALL/IS62WV51216BLL是高速8M位静态RAM，组织为512K字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技术制造的。这种高度可靠的工艺加上创新的电路设计技术，可生产出高性能和低功耗的设备。当CS1为HIGH（取消选择）或CS2为LOW（取消选择）或CS1为LOW，CS2为HIGH且LB和UB均为HIGH时，器件将处于待机模式，在该模式下，可通过CMOS输入降低功耗水平。使用芯片使能和输出使能输入可轻松扩展存储器。激活的LOWWriteEnable（WE）控制存储器的写入和读取。数据字节允许访问高字节（UB）和低字节（LB）。IS62WV51216A...
• 所属专栏： 新品推荐活动 标签： SRAM芯片 s62wv51216 SRAM芯片 ISSI代理 发帖人：英尚微电子 发帖时间：2020-03-17 14:48:00

• 分享一下关于STM32外扩SRAM的想法
• STM32F1xxx系列是STMicroelectronic基于ARMTMCortex-M3的32bitMCU产品，这一系列的MCU内置SRAM资源非常有限，在实际上的应用中，如果遇到数据需要扩容的情况下，需要外扩SRAM器件，一个并行接口的SRAM或SDRAM需要30~40个封装管脚，在一些方案中MCU可用于外扩SRAM的管脚数量有限，如果考虑SPI(串行)SRAM是一种不错的解决方案。如果是从降低成本的方向考虑，这里介绍一种伪静态的SPISRAM，只需要SPI接口或者QPI接口，就可以简简单单实现单线、4线和8线的方式操作SRAM。这种产品的速度快20MHz~200MHz,功耗也低，更重...
• 所属专栏： 新品推荐活动 标签： 扩SRAM 发帖人：RAMSUN英尚 发帖时间：2020-03-16 13:48:00

• SRAM芯片测试
• 完成SRAM芯片的测试，需要设计测试电路板。测试电路板主要提供测试接口和电源。芯片的控制信号和数据信号由红色飓风II-XilinxFPGA开发板提供，使用ISE13.2软件建立测试工程，编写Verilog测试程序（主要包括按照时序提供分频后的测试时钟、数据信号和控制信号），通过JTAG下载到FPGA的PROM中，重新上电进行测试，通过RIGOLDS1102CA双通道示波器捕捉信号。将示波器的通道1连接到写使能信号，通道2连接到数据端D7。如图1所示，上方的波形为通道1接收的数据，下而的波形为通道2接收的数据。设计输入向量测试，当地址为OOO时，将片选端CS置为低电平，图1中，A区WT=*0”...
• 所属专栏： 技术交流 标签： SRAM芯片,SRAM,SRAM测试 发帖人：英尚微电子 发帖时间：2020-03-03 17:15:00

• stm32f103vct6外扩sram芯片
• STM32F103是一款高性价比、多功能的单片机，配备常用的32位单片机片外资源，基于ARMCortex-M3的32位处理器芯片，片内具有256KBFLASH，48KBRAM(片上集成12BitA/D、D/A、PWM、CAN、USB、SDIO、FSMC等资源)。是应用的较为广泛的一款单片机，内置48KBRAM在产品设计过程中如需要外扩SRAM存储器，采用一款由VTI科技公司推出的VTI7064专用STM32单片机外扩的串口SRAM,电源电压范围从4.5V到5.5V，其典型电压值为5.0V，商用芯片工作温度范围0~70℃，芯片工作温度范围-40~+85℃，以低功耗和高可靠的特性被广泛应用于低功...
• 所属专栏： 技术交流 标签： stm32f103vct6,外扩sram芯片,sram芯片 发帖人：英尚微电子 发帖时间：2020-01-08 16:36:00